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倪涛

作品数:74 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 67篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇电路
  • 10篇埋氧层
  • 9篇静电保护
  • 8篇电流
  • 8篇漏电
  • 8篇绝缘体上硅
  • 8篇半导体
  • 7篇单粒子
  • 7篇端口
  • 7篇瞬态
  • 7篇自加热
  • 7篇自加热效应
  • 7篇脉冲
  • 7篇静电
  • 7篇高能
  • 7篇高能粒子
  • 7篇半导体器件
  • 6篇电学
  • 6篇信号
  • 6篇源区

机构

  • 74篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 74篇倪涛
  • 69篇曾传滨
  • 66篇罗家俊
  • 55篇韩郑生
  • 50篇高林春
  • 41篇李多力
  • 37篇闫薇薇
  • 16篇赵发展
  • 6篇卜建辉
  • 5篇李博
  • 4篇王春林
  • 4篇张晴
  • 3篇刘海南
  • 3篇王娟娟
  • 3篇高见头
  • 2篇李晓静
  • 2篇蔡小五
  • 1篇杜川华
  • 1篇张刚
  • 1篇高立博

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 7篇2024
  • 11篇2023
  • 16篇2022
  • 19篇2021
  • 11篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2014
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法,该器件包括:SOI衬底;位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区,位于有源区边缘的场注入区;其中,有源区包括:源区、漏区、P阱...
高林春曾传滨闫薇薇李晓静李多力单梁钱频张颢译倪涛罗家俊韩郑生
文献传递
一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法
本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法,该结构通过在体接触区内设置重掺杂区,该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度,包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域,且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距...
曾传滨高林春李晓静闫薇薇单梁李多力倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件
本发明涉及可控硅静电保护技术领域,具体涉及一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件。该结构中,N型阱区中的上部并排设置有第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区,以形成第一空白掺杂区;P型阱区中的上部并排设置有第二N型重掺...
曾传滨李晓静闫薇薇高林春倪涛单梁王加鑫李多力赵发展罗家俊韩郑生
一种功率器件电学闩锁测试系统
本发明公开了一种功率器件电学闩锁测试系统,包括:脉冲发生段传输线,特征阻抗为5Ω;终端极化装置,特征阻抗为5Ω,与脉冲发生段传输线的连接;脉冲调制段传输线,特征阻抗为5Ω,脉冲调制段传输线与脉冲发生段传输线连接;同轴水银...
倪涛曾传滨王娟娟孙佳星韩郑生罗家俊
文献传递
一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及制作方法,该部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构,包括:底硅层、位于底硅层上的埋氧层、埋氧层上方的体区、源区、漏区、P+体接触区以及两个第一浅沟槽隔离区;体...
高林春曾传滨闫薇薇李晓静李多力单梁钱频倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
一种静电放电防护钳位电路
本发明属于半导体技术领域,公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路,用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路;包括:端口PAD、第一、第二、第三、第...
李晓静曾传滨高林春闫薇薇倪涛王加鑫李多力罗家俊韩郑生
28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量:2
2021年
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使其和PD(部分耗尽)SOI相比拥有更,低的阈值电压温度漂移率和更小的载流子迁移率改变量.
张颢译曾传滨李晓静李晓静闫薇薇倪涛罗家俊高林春罗家俊
关键词:输出电流载流子迁移率
高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响
2022年
静电放电(electro-static discharge,ESD)防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel metal oxide semiconductor,NMOS)在30—195℃的工作温度下的维持特性.研究基于0.18μm部分耗尽绝缘体上硅工艺下制备的NMOS器件展开.在不同的工作温度下,使用传输线脉冲测试系统测试器件的ESD特性.实验结果表明,随着温度的升高,器件的维持电压降低.通过半导体工艺及器件模拟工具进行二维建模及仿真,提取并分析不同温度下器件的电势、电流密度、静电场、载流子注入浓度等物理参数的分布差异.通过研究以上影响维持电压的关键参数随温度的变化规律,对维持电压温度特性的内在作用机制进行了详细讨论,并提出了改善维持电压温度特性的方法.
李明珠蔡小五曾传滨李晓静李多力倪涛王娟娟韩郑生赵发展
关键词:静电放电金属-氧化物-半导体场效应晶体管高温
一种低漏电连接器
本发明实施例提供了一种低漏电连接器,包括:多个可伸缩连接机构,多个可伸缩连接机构的一端分别相应地与第一测试基板的第一信号电极及第一等电位电极相连;可伸缩连接机构的另一端分别相应地与第二测试基板的第二信号电极及第二等电位电...
曾传滨王瑞恒倪涛高林春李晓静罗家俊
文献传递
一种传输线脉冲测试系统
本发明涉及静电放电防护技术领域,尤其涉及一种传输线脉冲测试系统,包括:脉冲发生装置、脉冲测试装置;脉冲发生装置的输出端连接脉冲测试装置;脉冲测试装置包括顺次连接的电流探测装置、第一传输线、同轴继电器组、测试探头,测试探头...
曾传滨王娟娟倪涛孙佳星罗家俊韩郑生王玉娟张煦
文献传递
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