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两步化学气相沉积法制备In2Se3／MoSe2范德华尔斯异质结: 2017年; 利用两步化学气相沉积的方法，构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3／MoSe2异质结构．透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的晶格取向．由于二维In2Se3和MoSe2之间的相互作用，导致单层MoSe2的光致发光部分淬灭和红移．此外，由于异质结的独特能带结构，该异质结构还具有明显的整流行为和光伏效应，并且通过开尔文探针力显微镜可以进一步证实n＋-n的能带结构．文中范德华尔斯外延的合成方法还可以扩展至其它的二维异质结构，在电子和光电子器件方面具有广阔的应用前景．; 陈玉林李铭领吴一鸣李思嘉林岳杜冬雪丁怀义潘楠王晓平; 关键词：化学气相沉积

界面插入层对二次生长ZnO纳米线形貌和光电性能的调控: ZnO纳米线由于具有宽直接带隙(～3.4 eV)，大激子结合能(～60 meV)，强激子振荡强度（Rabi劈裂能～200 meV），高结晶质量和高度对称的六棱柱形状等优点，被认为是优秀的短波长光电子材料，并且有望能用于制...; 吴一鸣; 关键词：ZNO纳米线微观形貌光电性能; 文献传递

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吴一鸣