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年份

  • 1篇2017
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
两步化学气相沉积法制备In2Se3/MoSe2范德华尔斯异质结
2017年
利用两步化学气相沉积的方法,构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3/MoSe2异质结构.透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的晶格取向.由于二维In2Se3和MoSe2之间的相互作用,导致单层MoSe2的光致发光部分淬灭和红移.此外,由于异质结的独特能带结构,该异质结构还具有明显的整流行为和光伏效应,并且通过开尔文探针力显微镜可以进一步证实n+-n的能带结构.文中范德华尔斯外延的合成方法还可以扩展至其它的二维异质结构,在电子和光电子器件方面具有广阔的应用前景.
陈玉林李铭领吴一鸣李思嘉林岳杜冬雪丁怀义潘楠王晓平
关键词:化学气相沉积
共1页<1>
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