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领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇异质结
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
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  • 1篇锡化合物
  • 1篇化合物
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  • 1篇各向异性
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  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇CVD生长

机构

  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇李铭领
  • 1篇丁怀义
  • 1篇王晓平
  • 1篇潘楠
  • 1篇林岳
  • 1篇吴一鸣
  • 1篇杜冬雪
  • 1篇陈玉林
  • 1篇李思嘉

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
3 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
两步化学气相沉积法制备In2Se3/MoSe2范德华尔斯异质结
2017年
利用两步化学气相沉积的方法,构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3/MoSe2异质结构.透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的晶格取向.由于二维In2Se3和MoSe2之间的相互作用,导致单层MoSe2的光致发光部分淬灭和红移.此外,由于异质结的独特能带结构,该异质结构还具有明显的整流行为和光伏效应,并且通过开尔文探针力显微镜可以进一步证实n+-n的能带结构.文中范德华尔斯外延的合成方法还可以扩展至其它的二维异质结构,在电子和光电子器件方面具有广阔的应用前景.
陈玉林李铭领吴一鸣李思嘉林岳杜冬雪丁怀义潘楠王晓平
关键词:化学气相沉积
SnS薄片的各向异性拉曼光谱和SnS/SnS2异质结的光电特性
近年来,IV-VI族二维材料(IV族:Sn、Ge;IV族:S、Se、Te)作为继过渡金属硫属化合物(TMD)之后二维家庭的新成员,具有结构多样、吸光能力强、光电特性优异、地球储量丰富、无毒环保等优点,受到科研人员越来越多...
李铭领
关键词:异质结CVD生长
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共1页<1>
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