张秀全
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：山东建筑大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 铒离子辐照掺杂几种光电晶体荧光特性的研究
- 稀土元素通常具有丰富的光电磁性质,因此常被掺杂到其他材料中作为发光中心。尤其是Er3+,其4f层上电子在能级间的跃迁发射出的荧光波长在1.53μm附近,对应硅基光纤通信的最低损耗窗口。因此,可依据Er3+的受激辐射原理,...
- 张秀全
- 关键词：离子辐照光致荧光铒离子掺杂
- 文献传递
- 溅射气压对TiO_2薄膜结构性质的影响被引量：3
- 2012年
- 用射频磁控溅射技术在双面抛光的石英玻璃(SiO2)基底上沉积Er3+/Yb3+掺杂的TiO2薄膜,利用RBS背散射分析技术和X射线衍射技术研究溅射压强对薄膜结构性质的影响。结果表明:随着压强增加,成膜速率缓慢下降,且压强增大到一定数值之后对成膜速率的影响会逐渐减弱;随着压强增加,薄膜晶粒变大,晶粒间界变小,晶化质量提高。当溅射压强2.0Pa时,晶粒尺寸最大为64nm;适当降低溅射压强有利于提高薄膜的沉积速率,但是压强值也不能过小,否则会影响薄膜的晶粒尺寸大小,降低薄膜的结晶质量。
- 陈志华王凤翔宋红莲张秀全孙舒宁
- 关键词：TIO2薄膜溅射压强沉积速率晶粒尺寸
- 一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法
- 本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法，依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程，生成一层进化...
- 付刚张秀全季燕菊秦希峰
- 文献传递
- 一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法
- 本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法，依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程，生成一层进化...
- 付刚张秀全季燕菊秦希峰
- 文献传递
- 铒离子辅照掺杂几种光电晶体荧光特性的研究
- 张秀全
- 文献传递
- 反应磁控溅射法制备Zn_3N_2薄膜的工艺研究
- 2015年
- 制备和研究高质量的Zn3N2薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同的溅射功率、N2-Ar流量比、衬底类型和衬底温度等沉膜工艺对Zn3N2薄膜结晶质量的影响;采用XRD、SEM和AFM等测试手段,分析Zn3N2薄膜的微结构和表面形貌。结果表明:几种衬底上,以石英玻璃作衬底沉积的Zn3N2薄膜晶粒尺寸较大,衍射峰较强,且为多晶向薄膜;当N2-Ar流量比提高时,Zn3N2薄膜为单一择优取向的结晶薄膜;衬底温度升高后,Zn3N2薄膜晶粒尺寸减小,但是单一择优取向不变;溅射功率提高后,薄膜晶粒尺寸增大,择优取向改变,由单一晶向变为多晶向,以<100>晶向单晶硅作衬底可获得单一晶向Zn3N2薄膜,而以<111>单晶硅作衬底制备的Zn3N2薄膜经XRD测试,未检测到Zn3N2晶体。
- 孙舒宁王凤翔陈志华付刚张秀全
- 关键词：磁控溅射技术衬底
