周谦
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- 一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术
- 2013年
- 针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。
- 周谦杨谟华王向展李竞春罗谦
- 关键词：MOSFET准分子激光离子注入
- 240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET被引量：1
- 2007年
- 针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。
- 李竞春韩春周谦张静徐婉静
- 关键词：SIGE应变SIPMOSFET
- 基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术被引量：1
- 2013年
- 针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试。结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至替位式位置,形成GeSn合金。当退火温度为400℃时,Sn原子激活率为100%,其峰值浓度固定为1×1021 cm-3,与Sn的初始注入剂量无关。该技术与现有CMOS工艺兼容,附加成本低,适用于单轴压应变Ge沟道MOSFET的大规模生产。
- 周谦杨谟华王向展李竞春罗谦
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管离子注入快速热退火
- SiGe非选择性图形外延技术的实现与测试
- 为解决SiGe BiCMOS高温工艺与低温工艺的兼容性问题,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)...
- 周谦韩春李竞春
- 关键词：薄膜生长位错密度
- 文献传递
- SiGe HBT噪声的研究进展被引量：2
- 2006年
- 噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAs pHEMT的水平,fT达到了375 GHz。分析了SiGe HBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系,指出用fC/fT表达低频噪声性能更合适;举例说明小尺寸效应使得SiGe HBT的低频噪声偏离了1/f噪声形式。
- 杨洪东周谦李竞春杨谟华
- 关键词：SIGEHBT相位噪声转角频率噪声系数
- 一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法
- 2009年
- 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。
- 杨洪东李竞春于奇周谦谭开州张静
