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韩春

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇SIGE
  • 2篇BICMOS
  • 1篇应变SI
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SI
  • 1篇SIGE_B...
  • 1篇HBT
  • 1篇MBE
  • 1篇衬底
  • 1篇PMOSFE...

机构

  • 4篇电子科技大学
  • 1篇中电集团

作者

  • 4篇韩春
  • 3篇李竞春
  • 2篇张静
  • 2篇周谦
  • 1篇谭开洲
  • 1篇徐婉静

传媒

  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇微电子学
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET被引量：1
2007年
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。
李竞春韩春周谦张静徐婉静
关键词：SIGE应变SIPMOSFET
SiGe非选择性图形外延技术的实现与测试
为解决SiGe BiCMOS高温工艺与低温工艺的兼容性问题,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)...
周谦韩春李竞春
关键词：薄膜生长位错密度
文献传递
SiGe BiCMOS集成器件设计与关键工艺研究
本文结合1.5μm SiGe BiCMOS的实际工艺条件,提出了基于分子束外延技术/(MBE/)的SiGe BiCMOS器件结构,并针对其关键参数进行了优化设计。重点考虑了SiGe HBT基区厚度、Ge组份、掺杂浓度对器...
韩春
关键词：SIGEBICMOSHBT
文献传递
基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术研究
2008年
针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾，研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术，并进行了扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）与位错密度测试。结果表明，该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜，其表面平均粗糙度为0．45nm，位错密度为0．3×10^3cm^-2～1．2×10^3cm^-2，图形边界处材料生长良好，未出现位错堆积。实验证实，该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求。
韩春李竞春谭开洲张静
关键词：SIGEBICMOSMBE
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