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姜丹丹

作品数：16 被引量：9H指数：2
供职机构：成都信息工程大学通信工程学院更多>>
发文基金：四川省科技计划项目中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇存储器
  • 5篇编程
  • 4篇电压
  • 4篇编程方法
  • 3篇堆栈
  • 3篇介质层
  • 2篇电子注入
  • 2篇载流子
  • 2篇闪存
  • 2篇同步脉冲
  • 2篇热电子
  • 2篇耦合电容
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲宽度
  • 2篇放大器
  • 2篇浮栅
  • 2篇半导体存储
  • 2篇半导体存储器
  • 2篇CMOS
  • 1篇低K介质

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 6篇成都信息工程...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 16篇姜丹丹
  • 11篇霍宗亮
  • 11篇刘明
  • 9篇刘璟
  • 8篇张满红
  • 6篇谢常青
  • 5篇王琴
  • 2篇李冬梅
  • 2篇杨潇楠
  • 2篇靳磊
  • 1篇王永
  • 1篇曹华
  • 1篇龙世兵
  • 1篇曹华敏
  • 1篇李婷
  • 1篇王瑜
  • 1篇叶松
  • 1篇杨燕

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇计算机应用
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇成都信息工程...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于FPGA的NAND闪存控制器的设计与验证被引量：5
2018年
为解决NAND闪存控制器的构架设计和硬件测试问题,提出了一种NAND闪存控制器的设计方案,搭建了基于上位机控制的高效硬件测试平台。该构架基于ZYNQ软核,通过GPIO总线将来自上位机的操作命令和数据传输给控制器,然后控制器产生控制信号给芯片;该测试平台基于ONFI 3. 2协议,利用LDO实现Vcc和Vccq的电压开启要求,达到Flash芯片开启条件。在充分仿真验证控制器时序、功能的基础上,利用搭建的硬件测试平台进行板级验证。最终结果表明,所提方案能够满足NAND闪存驱动控制要求。
王柯姜一扬张黄鹏姜丹丹
关键词：NAND闪存控制器上位机
一种对多位半导体存储器进行编程的方法
本发明公开了一种对多位半导体存储器进行编程的方法，涉及半导体存储器技术领域。该方法包括：对多位半导体存储器内所有存储单元进行复位操作；执行第一轮编程操作，将该多位半导体存储器内所有存储单元的阈值电压编程至比该存储单元所指...
刘明姜丹丹霍宗亮张满红刘璟谢常青
文献传递
一种精确的非挥发性存储器中高压产生系统的稳定性分析模型
2014年
针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数模型。同时,根据推导的结果搭建了一个简洁、直观的仿真电路模型。通过此传输函数模型以及仿真电路模型,可以方便快捷的分析、仿真得到电路中的每一个参数对转化器的增益、电流环稳定性、右半平面零点、输出极点的影响。所介绍的方法也可以直接用于其他DC-DC转化器传输函数的推导。
姜丹丹杨燕曹华
关键词：非挥发性存储器脉冲宽度调制
一种平面浮栅闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种平面浮栅闪存器件及其制备方法。该平面浮栅闪存器件包括：衬底；沟道区，位于所述衬底的上方；栅堆栈，形成于所述沟道区的上方；控制栅介质层，形成于所述栅堆栈的上方；以及源端和漏端，分别形成于所述沟道区的两侧，由...
刘明姜丹丹霍宗亮张满红刘璟谢常青
文献传递
一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路
本发明公开了一种应用于三维存储领域的低压带隙基准产生电路，该低压带隙基准产生电路包括依次连接的启动电路、运算放大器和核心电路，其中：启动电路，用于产生该运算放大器所需的偏置电流和偏置电压，从而保证运算放大器工作在正常状态...
李婷霍宗亮靳磊刘璟曹华敏王瑜姜丹丹杨潇楠刘明
文献传递
分裂栅存储器及其制造方法
一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦...
刘明姜丹丹霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
文献传递
一种非挥发性存储器件的编程方法
本发明公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编...
霍宗亮姜丹丹刘明张满红王琴刘璟李冬梅
文献传递
基于谐振开关技术的低相噪LC VCO的设计被引量：1
2020年
基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路的尾电流部分采用POMS电流镜结构用于减小晶体管闪烁噪声对VCO相位噪声的影响。在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为4.5 m W,1.72 GHz频率处相位噪声达到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。该LC VCO的宽调谐范围和良好的相位噪声性能较好地用于各种PLL电路中。
奉荣姜丹丹
关键词：电流复用谐振开关锁相环
一种65 nm CMOS 60 GHz高增益功率放大器
2019年
设计了一种基于65 nm CMOS工艺的60 GHz功率放大器。采用共源共栅结构与电容中和共源级结构相结合的方式来提高功率放大器的增益,并采用两路差分结构来提高输出功率。采用片上变压器作为输入/输出匹配及级间匹配,以减小芯片的面积,从而降低成本。采用Cadence、ADS和Momentum等软件进行联合仿真。后仿真结果表明,在工作频段为60 GHz时,最大小信号增益为26 dB,最大功率附加效率为18.6%,饱和输出功率为15.2 dBm。该功率放大器具有高增益、高效率、低成本等优点。
杨倩叶松姜丹丹
关键词：功率放大器CMOS变压器
硅纳米晶存储器的耐受性研究
2014年
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。
姜丹丹霍宗亮靳磊杨潇楠王永刘明
关键词：耐受性能级分布
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