吴日新
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
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- 毛细管电泳芯片制备方法
- 一种微细加工技术领域的毛细管电泳芯片制备方法，包括如下步骤：制备第一粘附-种子层；甩第一光刻胶，烘胶，光刻支撑立柱的结构图形；在支撑立柱的结构图形的空腔内电镀支撑立柱；制备第二粘附-种子层；甩第二光刻胶，烘胶，光刻毛细管...
- 丁桂甫姚锦元程吉凤吴日新宿智娟
- 文献传递
- 用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法
- 一种用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法，包括：在基底和任何已图形化结构上依次溅射粘结层和金属种子层；通过甩光刻胶并光刻图形化，显影处理后留下了图形化的金属种子层；然后以金属种子层为阴极，惰性金属为阳极进行电泳...
- 汪红程吉凤吴义伯毛胜平吴日新丁桂甫
- 从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展被引量：7
- 2009年
- 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。
- 孙磊戴庆元乔高帅吴日新
- 关键词：无掩模光刻纳米压印光刻特征尺寸
- 用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法
- 一种用于MEMS领域的可图形化聚合物薄膜的制备方法，包括：在基底和任何已图形化结构上依次溅射粘结层和金属种子层；通过甩光刻胶并光刻图形化，显影处理后留下了图形化的金属种子层；然后以金属种子层为阴极，惰性金属为阳极进行电泳...
- 汪红程吉凤吴义伯毛胜平吴日新丁桂甫
- 文献传递
- 毛细管电泳芯片制备方法
- 一种微细加工技术领域的毛细管电泳芯片制备方法，包括如下步骤：制备第一粘附－种子层；甩第一光刻胶，烘胶，光刻支撑立柱的结构图形；在支撑立柱的结构图形的空腔内电镀支撑立柱；制备第二粘附－种子层；甩第二光刻胶，烘胶，光刻毛细管...
- 丁桂甫姚锦元程吉凤吴日新宿智娟
- 文献传递
- 新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
- 2009年
- 介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
- 吴日新戴庆元谢芳
- 关键词：CMOS带隙基准
- 一种高线性度CMOS有源混频器的设计
- 2009年
- 设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。
- 蔡新午戴庆元吴日新
- 关键词：CMOS射频集成电路下变频混频器数字电视接收机
