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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇淀积速率
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇染色
  • 1篇染色液
  • 1篇均匀性
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇TEOS
  • 1篇AL
  • 1篇LPCVD
  • 1篇P

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇佟丽英
  • 2篇李亚光
  • 1篇史继祥
  • 1篇王聪
  • 1篇赵权
  • 1篇李秀强
  • 1篇王俭峰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
化学染色法测量B,Al及P扩散结深被引量:6
2009年
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
关键词:染色液
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量:4
2011年
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响。结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件。
王俭峰佟丽英李亚光李秀强
关键词:LPCVD淀积速率均匀性
共1页<1>
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