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屿拹秀隆

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：静冈大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇模拟计算
  • 1篇N型
  • 1篇场发射

机构

  • 1篇静冈大学
  • 1篇中国海洋大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 1篇宋翠华
  • 1篇三村秀典
  • 1篇宋航
  • 1篇元光
  • 1篇曹崇龙
  • 1篇屿拹秀隆

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算被引量：1
2008年
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
元光曹崇龙宋翠华宋航屿拹秀隆三村秀典
关键词：场发射电子能谱
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共1页<1>
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