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GLSI多层铜布线钴阻挡层CMP界面腐蚀的研究: 随着技术节点降到14nm及以下，为了满足集成电路发展的要求，钴以其较低的电阻率、良好的台阶覆盖性、良好的黏附性和阻挡铜扩散性替代了性能较差的钽，成为新型阻挡层材料之一。国际上应用规模较大的酸性抛光液中加入缓蚀剂（BTA）...; 付蕾; 关键词：阻挡层碱性抛光液电偶腐蚀

阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素被引量：2: 2017年; 在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H_2O_2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H_2O_2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H_2O_2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。; 付蕾刘玉岭王辰伟张文倩马欣韩丽楠; 关键词：钴铜电偶腐蚀 H2O2

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付蕾