您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 7篇晶体管
  • 3篇双极晶体管
  • 2篇海洋环境
  • 1篇电流增益
  • 1篇盐雾
  • 1篇盐雾试验
  • 1篇增益
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇贮存寿命评估
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇温度特性
  • 1篇结深
  • 1篇抗辐照
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性评估
  • 1篇加速腐蚀试验
  • 1篇加速退化试验
  • 1篇恒温恒湿

机构

  • 7篇北京工业大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇北京燕东微电...

作者

  • 7篇陈成菊
  • 6篇吕长志
  • 6篇张小玲
  • 6篇谢雪松
  • 5篇齐浩淳
  • 5篇赵利
  • 1篇孙江超
  • 1篇吕曼

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇微电子学
  • 2篇四川兵工学报

年份

  • 4篇2014
  • 3篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
海洋环境下晶体管加速腐蚀试验中的问题探究被引量:2
2014年
在模拟海洋环境下进行了3组不同盐溶液浓度的晶体管加速腐蚀试验,对试验样品得到的腐蚀结果进行了研究。对晶体管管壳的腐蚀速度随着浓度的增加而下降的原因进行了分析,阐述了晶体管管壳、涂层和外引线的腐蚀机理。另外,试验结果表明,晶体管外引线断裂现象依然是晶体管工艺生产过程中存在的亟需解决的问题。
齐浩淳张小玲谢雪松吕长志陈成菊赵利
关键词:海洋环境晶体管
基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估被引量:2
2014年
提出了用理想因子n作为表征,对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象,进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据,利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命,并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明,晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征,从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。
齐浩淳张小玲谢雪松吕长志陈成菊赵利
关键词:双极晶体管
双极型晶体管电流增益温度特性的研究被引量:3
2014年
修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。
赵利张小玲陈成菊谢雪松齐浩淳吕长志肖文杰
关键词:双极型晶体管温度特性电流增益
晶体管的盐雾试验被引量:1
2013年
为了评价晶体管在海洋环境中的耐腐蚀性能,对3DK4C和3DK105B两种晶体管开展了两个盐雾试验的分析和研究。试验Ⅰ从外观腐蚀情况和电学参数退化两个方面对比分析了两种晶体管的耐腐蚀性,并分析了电学参数退化机理,试验结果表明相对于电参数,管壳与外引线受到盐雾的影响最显著,提高镀层的耐蚀特性是提高晶体管可靠性的关键;盐雾试验Ⅱ提出一种全新的涂层破坏方法,通过四组不同盐浓度恒定应力的加速腐蚀试验,给出了3DK105B晶体管表面涂层的腐蚀速率与盐浓度的关系,分析了盐雾腐蚀机理。试验结果可为国产晶体管的抗腐蚀性能评估提供一定的参考。
陈成菊张小玲赵利齐浩淳谢雪松吕长志
关键词:盐雾试验晶体管
基于加速退化晶体管贮存寿命的评估被引量:5
2013年
为探求快速评价国产晶体管长期贮存寿命的方法,对国产3DK105B型晶体管开展了加速退化试验的分析和研究。通过三组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,确定了晶体管的失效敏感参数,利用其性能退化数据外推出样品的寿命;给出了常见的三种分布下的平均寿命,并结合Peck温湿度模型外推出自然贮存条件下本批晶体管的贮存寿命。最后分析了试验样品性能参数退化的原因。试验结果可以为评估国产晶体管的贮存可靠性水平提供一定的参考。
陈成菊张小玲赵利赵伟齐浩淳谢雪松吕长志
关键词:加速退化试验晶体管恒温恒湿
晶体管长期贮存寿命的研究
随着武器装备的不断发展,电子元器件尤其是微电子器件在海军装备上的应用越来越广泛,高温、高湿、高盐雾的海洋环境对海军用电子元器件(如双极晶体管)的贮存可靠性有较大影响,因此海洋环境下电子元器件的长期贮存可靠性受到高度关注,...
陈成菊
关键词:双极晶体管海洋环境可靠性评估
不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究被引量:1
2013年
双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加。工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强。由于离子注入前氧化层的影响,厚氧化层形成的浅发射结LPNP具有更少的注入损伤,界面态较少,同时具有高的表面杂质浓度,从而减少了辐照后发射区上方的SRH复合以及过剩基极电流的增加,提高了LPNP双极晶体管的抗辐照性能。
吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超陈成菊吕长志
关键词:双极晶体管总剂量辐照
共1页<1>
聚类工具0