冷丹
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究
- 2012年
- 本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了Al_xTe_y化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且A1Sb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为P型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.
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- 磁控溅射CdS 薄膜的性质研究
- 采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备CdS 薄膜,并研究讨论了制备条件对薄膜结构、光学、电学等方面的影响.结果表明,室温条件下,沉积时间对样品结构基本无影响,均呈现CdS 立方结构(111) 的最强峰；光学禁带宽度随沉...
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- 关键词：磁控溅射CDS衬底温度
