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闫薇薇

作品数：48 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 20篇电路
  • 10篇埋氧层
  • 9篇静电保护
  • 7篇端口
  • 7篇可控硅
  • 6篇单粒子
  • 6篇源区
  • 6篇瞬态
  • 6篇漏电
  • 6篇静电防护
  • 6篇绝缘体上硅
  • 6篇化物
  • 6篇集成电路
  • 6篇硅化物
  • 5篇单粒子翻转
  • 5篇电荷
  • 5篇离化
  • 5篇静电
  • 5篇静电放电
  • 5篇可控硅器件

机构

  • 48篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 1篇长江存储科技...

作者

  • 48篇闫薇薇
  • 44篇曾传滨
  • 43篇罗家俊
  • 42篇韩郑生
  • 39篇高林春
  • 37篇倪涛
  • 36篇李多力
  • 11篇赵发展
  • 4篇于猛
  • 3篇李博
  • 3篇刘海南
  • 3篇蔡小五
  • 2篇卜建辉
  • 2篇李晓静
  • 2篇赵海涛
  • 2篇孟祥鹤
  • 1篇赵野
  • 1篇卢剑
  • 1篇李博
  • 1篇刘刚

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 5篇2024
  • 6篇2023
  • 9篇2022
  • 17篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2014
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路
本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第...
曾传滨李晓静高林春闫薇薇倪涛王加鑫李多力罗家俊韩郑生
一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱...
高林春曾传滨闫薇薇李晓静李多力单梁钱频张颢译倪涛罗家俊韩郑生
文献传递
一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法
本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距...
曾传滨高林春李晓静闫薇薇单梁李多力倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究
2017年
分析了一款基于0.35μm PDSOI工艺的锁相环(PLL)电路的抗单粒子瞬变(SET)能力,利用相位抖动为表征参数评估SET对PLL电路的影响与产生影响的可能性.电路级仿真采用优化过的SET注入模型,提高了仿真预测的准确程度.分析了PLL电路的SET敏感节点与敏感工作状态,仿真与激光测试表明,分频器(DIV)与输出低压正发射极耦合逻辑(LVPECL)是最敏感的电路模块,其内部节点的敏感性与节点分布和电路工作状态关系密切.最恶劣情况下相位抖动可达输出周期的一半左右,分析结果有助于抗SET加固设计.
于猛曾传滨闫薇薇李博高林春罗家俊韩郑生
关键词：锁相环相位抖动
一种可控硅器件
本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种可控硅器件。该结构中，N型阱区的上部设有第一空白掺杂区；任一等效结构均包括沿左右方向并排设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；任一等效结构均对应设置有第二多晶硅；P型阱区...
李晓静曾传滨闫薇薇高林春倪涛单梁王加鑫李多力赵发展罗家俊韩郑生
一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置
本发明提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，方法包括：针对目标器件，获取目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；获取目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压、...
高林春曾传滨李晓静闫薇薇倪涛李多力卜建辉张颢译王可刘海南罗家俊韩郑生
高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路
本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块，M为不小于2的正整数；所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管，所述场效应晶体管用于捕获高能粒子，并...
闫薇薇曾传滨高林春李晓静倪涛李多力罗家俊韩郑生
文献传递
一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路
本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第...
曾传滨李晓静高林春闫薇薇倪涛王加鑫李多力罗家俊韩郑生
文献传递
一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法
本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距...
曾传滨高林春李晓静闫薇薇单梁李多力倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
文献传递
PDSOI SRAM单光子吸收激光脉冲与重离子单粒子LET翻转阈值对应关系
通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述PDSOI SRAM在重离子加速...
曾传滨高林春闫薇薇杨娜赵发展刘刚罗家俊韩郑生
关键词：单粒子翻转重离子激光脉冲
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