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王永刚

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院研究生院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇气压
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇氩
  • 1篇GZO
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇北方液晶工程...

作者

  • 1篇王中健
  • 1篇马凯
  • 1篇马仙梅
  • 1篇王龙彦
  • 1篇荆海
  • 1篇王永刚

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：3
2009年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4Ω.cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。
马仙梅荆海王永刚王龙彦王中健马凯
关键词：GZO磁控溅射
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