覃钢
- 作品数：25 被引量：29H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 基于步进扫描傅里叶变换的红外光致发光研究被引量：1
- 2018年
- 搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统,结合FTIR光谱仪的步进扫描功能,在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明,相对于常规的连续谱扫描,步进扫描的方式成功地抑制了背景辐射的影响,同时还显著提高了PL谱信号的信噪比,在室温下获得了光滑的PL谱曲线。
- 周旭昌杨彦覃钢张阳李东升木迎春
- 关键词：红外光致发光
- 高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
- 2023年
- 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。
- 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊
- 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差
- p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法
- p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底...
- 宋立媛唐利斌郝群王静宇吕浩何文瑾李艳辉俞见云齐浩泽王海澎覃钢辛永刚庄继胜
- 异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展
- 2022年
- 分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h 模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至 5×10^(5)cm^(-2)以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在 5×10cm以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。
- 杨晋李艳辉杨春章覃钢李俊斌雷文孔金丞赵俊姬荣斌
- 关键词：碲镉汞
- 中长双色红外焦平面探测器组件技术研究
- 2023年
- 在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 cm^(-2),同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×10^(5) cm^(-2);双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6~5.0μm,长波波长响应范围为7.4~9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。
- 耿松杨晋李树杰覃钢李立华赵俊李艳辉孔金丞赵鹏左大凡胡彦博梁艳任洋
- 关键词：碲镉汞分子束外延等离子体刻蚀串音
- 一种双色碲镉汞红外光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种双色碲镉汞红外光电探测器及其制备方法，该双色探测器基于单极型势垒结构，其结构包括CdZnTe衬底、沉积于CdZnTe衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，外延结构从下至上依次为宽带隙n型Hg<Sub>1‑x...
- 任洋覃钢孔金丞李艳辉杨春章赵鹏
- 碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究被引量：3
- 2018年
- 报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm^(-2),组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为(35)x≤0.001、(35)d≤0.9μm,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料。
- 杨春章覃钢李艳辉李达孔金丞
- 关键词：碲锌镉碲镉汞分子束外延
- 分子束外延碲镉汞薄膜“燕尾”状缺陷被引量：1
- 2020年
- "燕尾"状缺陷是异质外延碲镉汞薄膜中一种形状、朝向统一的典型缺陷,本文对"燕尾"状缺陷的表面形貌、结构及形成机理进行了表征及研究。结果表明,在碲镉汞薄膜表面,"燕尾"状缺陷以两条凸起的"燕尾"边为特征形貌。在碲镉汞薄膜中,"燕尾"状缺陷为倒金字塔结构,由(111)、(111)、(111)、(111)四个底面与(211)表面围成。"燕尾"状缺陷为(552)A孪晶缺陷,(552)A孪晶与(211)A基体间不同的生长速率导致了缺陷的形成。碲镉汞晶体中12个滑移系统间不同的Schmid因子决定了(552)A孪晶成核生长于(111)和(111)面,也决定了"燕尾"状缺陷的表面形貌及结构。
- 杨晋孔金丞俞见云李艳辉杨春章覃钢李东升雷文赵俊姬荣斌
- 关键词：碲镉汞孪晶
- 用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托
- 本发明公开了一种用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托，属于半导体材料生长领域。两用生长钼盘由两部分构成，第一部分为主体部分圆形钼盘托，背面有测温片放置槽；第二部分为背面有测温孔的测温片，使用接触控温时将测温...
- 杨春章李艳辉覃钢杨晋陈卫业赵俊孔金丞李东升雷文
- 文献传递
- Ge(211)异质衬底分子束外延HgCdTe薄膜材料及器件性能
- 采用RIBER Epineat分子束外延系统,采用Ge(211)衬底经过表面处理,在生长腔体进行高温脱氧,As束流保护下进行表面钝化,在250℃采用表面增强(MEE）法生长50周期Zn/Te交替结构,固定生长面为(211...
- 李艳辉杨春章覃钢杨晋李东升孔金丞
- 关键词：半导体薄膜碲镉汞分子束外延生长
