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金磊

作品数：5 被引量：20H指数：3
供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程项目江苏省科技成果转化专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇原子
  • 2篇双原子
  • 2篇化学法
  • 2篇铜
  • 2篇银
  • 1篇倒金字塔
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电学性能
  • 1篇钝化
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化铝
  • 1篇少子寿命
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇硼扩散
  • 1篇硼酸
  • 1篇热法

机构

  • 5篇南京航空航天...

作者

  • 5篇沈鸿烈
  • 5篇金磊
  • 4篇李玉芳
  • 4篇蒋晔
  • 3篇杨楠楠
  • 3篇郑超凡
  • 2篇蒲天
  • 1篇李金泽
  • 1篇杨艳
  • 1篇王威
  • 1篇陈洁仪
  • 1篇吴文文

传媒

  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
ZnO透明导电薄膜制备及紫外辐照处理特性研究被引量：1
2015年
ZnO作为一种典型的透明导电氧化物(Transparent conductive oxide,TCO)材料,具有同氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)相比拟的光电性能,其原料丰富、绿色环保、易于制备、生成成本低等优点使ZnO成为最有希望替代ITO的材料。本文以玻璃为衬底,利用量子点种子层作为缓冲层,采用传统水热方法制备了低成本ZnO透明导电薄膜,采用特殊的紫外光辐照工艺对薄膜进行后处理,探索薄膜生长参数和紫外光辐照处理工艺对其透光率和导电性的影响。结果表明,紫外辐照处理不影响薄膜的透光性能,而使材料的方块电阻降低3个数量级,数值从没处理时的1.5×105Ω/□降低到150Ω/□,极大地提高了薄膜的电导率,为ZnO薄膜材料电导率的提高提供了一个简单高效的途径。
李玉芳金磊王威沈鸿烈
关键词：ZNO纳米结构水热法透明导电薄膜电学性能
银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能被引量：7
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs.
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛杨楠楠金磊
关键词：倒金字塔
银铜双原子MACE法制备多晶硅陷光结构及其性能的研究被引量：6
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,研究了腐蚀时间及银铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响。用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌。发现银铜双原子MACE法所形成的结构比银单原子或铜单原子MACE法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过银铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在银铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在银铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构。研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷光效果,当银铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%。
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛吴斯泰陈洁仪金磊
反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究被引量：5
2017年
结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al_2O_3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450℃快速热退火后少子寿命达到29.34μs,表面复合速率为306cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。
金磊李玉芳沈鸿烈蒋晔杨汪扬杨楠楠郑超凡
关键词：反应离子刻蚀表面钝化氧化铝
二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p＋硅层性能的影响被引量：3
2017年
为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO_2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO_2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p^+硅层的性能。
杨楠楠沈鸿烈蒋晔金磊李金泽吴文文余双龙杨艳
关键词：硼扩散均匀性少子寿命
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