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孙晓冬

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇体声波
  • 1篇体声波谐振器
  • 1篇取向性
  • 1篇谐振器
  • 1篇溅射
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇薄膜体声波谐...
  • 1篇GHZ
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇C-

机构

  • 2篇湖北大学
  • 2篇武汉理工大学

作者

  • 2篇胡光
  • 2篇顾豪爽
  • 2篇张凯
  • 2篇胡靖华
  • 2篇张小玲
  • 2篇孙晓冬

传媒

  • 2篇武汉理工大学...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究被引量：1
2009年
AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。
胡靖华孙晓冬张凯张小玲胡光顾豪爽
关键词：薄膜体声波谐振器
磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究被引量：1
2009年
氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽
关键词：氮化铝取向性反应磁控溅射
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共1页<1>
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