胡光
- 作品数：12 被引量：17H指数：2
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- AlN薄膜体声波谐振器性能分析被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。
- 胡光顾豪爽张凯胡宽吴小鹏
- 关键词：电子技术薄膜体声波谐振器氮化铝
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好....
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔ALN薄膜
- 文献传递
- 1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究被引量：1
- 2009年
- AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。
- 胡靖华孙晓冬张凯张小玲胡光顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,...
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器谐振频率
- 文献传递
- 磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究被引量：1
- 2009年
- 氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
- 张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽
- 关键词：氮化铝取向性反应磁控溅射
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器被引量：1
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.
- 叶芸吴雯刘婵胡光张凯顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究被引量：10
- 2007年
- 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.
- 张凯顾豪爽胡光叶芸吴雯刘婵
- 关键词：微机电系统湿法刻蚀刻蚀速率表面粗糙度
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- AlN薄膜体声波谐振器的制备与性能分析被引量：6
- 2007年
- 采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为1.22 GHz1、.254 GHz,机电耦合系数为6.68%,带宽20 MHz。
- 张凯顾豪爽李位勇胡光胡明哲
- 关键词：磁控溅射氮化铝薄膜薄膜体声波谐振器
