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许应强

作品数：2 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇超晶格
  • 1篇短周期
  • 1篇形貌
  • 1篇生长温度
  • 1篇探测器
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇光谱响应
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇XRD

机构

  • 2篇西北工业大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国航空工业...
  • 1篇洛阳光电技术...

作者

  • 2篇牛智川
  • 2篇郭杰
  • 2篇鲁正雄
  • 2篇孙维国
  • 2篇郝瑞亭
  • 2篇周志强
  • 2篇彭震宇
  • 2篇许应强
  • 1篇陈慧娟

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究被引量：6
2009年
采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W.
郭杰彭震宇鲁正雄孙维国郝瑞亭周志强许应强牛智川
关键词：超晶格分子束外延光谱响应
生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响被引量：1
2008年
采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
郭杰孙维国陈慧娟彭震宇鲁正雄郝瑞亭周志强许应强牛智川
关键词：INAS/GASBXRD生长温度
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