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祁婷

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉科技大学更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇相变
  • 1篇六方氮化硼
  • 1篇溅射
  • 1篇SI衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇粗糙度

机构

  • 1篇武汉科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇祝柏林
  • 1篇龚甜
  • 1篇吴隽
  • 1篇李涛涛
  • 1篇祁婷
  • 1篇龙晓阳

传媒

  • 1篇武汉科技大学...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响被引量：1
2015年
利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c轴垂直于衬底且以层状模式生长;随着负偏压的增加,薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长,表面粗糙度增加,且h-BN经亚稳相E-BN和wBN向c-BN转变,使得BN薄膜相系统更加混乱,不利于高质量层状h-BN薄膜的获取。
龚甜吴隽李涛涛龙晓阳祝柏林祁婷
关键词：六方氮化硼SI衬底射频磁控溅射粗糙度相变
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