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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电阻率
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇锗单晶
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇少子寿命
  • 1篇湿法清洗
  • 1篇抛光片
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇晶片
  • 1篇光注入
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅单晶片
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶片
  • 1篇

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇戚红英
  • 1篇史继祥
  • 1篇张继荣
  • 1篇佟丽英
  • 1篇窦连水
  • 1篇王云彪
  • 1篇邢友翠
  • 1篇李亚帅
  • 1篇王俭峰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2012
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
锗抛光片干燥技术研究被引量:4
2012年
在锗加工工艺中,干燥技术对于加工的成品率和抛光片表面质量有着重要的影响。介绍了异丙醇脱水干燥技术的原理,分析了异丙醇脱水技术对超薄锗抛光片的适用性。采用湿法清洗技术,有效去除了表面沾污和抛光后的表面氧化产物,控制了抛光片表面GeO_2的生成。采用异丙醇脱水技术成功实现了140μm厚锗抛光片的干燥。
戚红英王云彪
关键词:湿法清洗
硅晶片电阻率测量技术的研究被引量:1
2018年
分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段-四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍。
秦伟亮常耀辉戚红英窦连水
关键词:硅单晶片电阻率
高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量:2
2010年
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
关键词:锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
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