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李亚帅

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇锗单晶
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇少子寿命
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇光注入

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇史继祥
  • 1篇张继荣
  • 1篇佟丽英
  • 1篇邢友翠
  • 1篇李亚帅
  • 1篇王俭峰
  • 1篇戚红英

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量：2
2010年
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
关键词：锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
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