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杨濛

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇红外
  • 2篇等离激元
  • 2篇探测器
  • 2篇天线
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇表面等离激元
  • 1篇氮化镓
  • 1篇性能研究
  • 1篇有限时域差分...
  • 1篇中红外
  • 1篇劈裂
  • 1篇热电子
  • 1篇功率
  • 1篇光学天线
  • 1篇硅基
  • 1篇碲
  • 1篇铟
  • 1篇GAN
  • 1篇FIN

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇杨濛
  • 4篇施毅
  • 2篇任芳芳
  • 1篇谢自力
  • 1篇张荣
  • 1篇陈鹏
  • 1篇韩平
  • 1篇郑有炓
  • 1篇赵毅
  • 1篇濮林
  • 1篇刘斌
  • 1篇于治国
  • 1篇滕龙

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
深沟槽完美吸收结构硅基热电子红外探测器
杨濛任芳芳肖龙濮林施毅
Ge FinFET中Fin结构制备工艺的研究
马学智孙家宝杨濛赵毅
碲化铟纳米材料的制备及性能研究
周立彦施毅晏善成王剑宇杨濛
GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1
2012年
通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。
滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅
关键词：功率
表面等离激元应用于红外光探测的研究
随着微加工和化学制备水平的提高，等离激元光学在近年来得到了迅速的发展。金属纳米结构的表面等离激元的波长要远小于自由空间中的光的波长，所以电磁场能被束缚在比光波长小得多的尺度，实现了亚波长尺度的近场增强。基于这个特性，表面...
杨濛
关键词：红外探测器有限时域差分法等离激元天线
劈裂牛眼结构表面等离激元中红外光学天线
中红外半导体光探测器和成像系统在夜视成像、天文研究、遥感监测等领域有着重要的应用.减小半导体探测器有源区的体积可以有效减少热噪声,但相应会降低对光的吸收.
杨濛周旻旻任芳芳施毅
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