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高k/SiO2/Si界面对全栅结构费米能级钉扎效应的影响: 本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上，重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响，理论研究表明SiO2中氧空位对金属/高k界面真空能级产生影响，并进一步改变其费...; 李越黄安平王玫肖志松; 关键词：界面电荷

金属栅/高k基FinFET研究进展: 2012年; 对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩小时所面临的关键问题,并着重从延迟时间、可靠性和功耗三方面分析了金属栅/高k基FinFET应用于22 nm器件的性能优势。基于短沟道效应以及界面态对器件性能的影响,探讨了FinFET器件尺寸等比缩小可能产生的负面效应及其解决办法。分析了FinFET器件下一步可能的发展方向,主要为高迁移率沟道材料、立体型栅结构以及基于新原理的电子器件。; 李越黄安平郑晓虎王玫肖志松; 关键词：FINFET 金属栅界面态短沟道效应

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李越