彭建华
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：核科学技术金属学及工艺理学机械工程更多>>
- 金属蒸汽真空弧离子源用加热式阴极
- 一种用于金属蒸汽真空弧离子源的加热式阴极。要点是采用电加热器加热阴极，同时采用导热性能差的材料制作底环，从而保证阴极处于合适的高温状态，温度由埋入底环内的热电偶测量。在工字形骨架上用电阻丝绕制电加热器，骨架的内径与阴极材...
- 吴先映张旭彭建华李强梁宏马芙蓉
- 文献传递
- 树型阴极真空电弧等离子体沉积磁过滤装置
- 一种树型阴极真空电弧等离子体沉积磁过滤装置，它由两个以上的磁过滤支线管和一个磁过滤干线管经过合理搭配组装而成，构成树型结构。针对现有磁过滤阴极真空电弧等离子体沉积技术制备多元复合薄膜存在膜层元素成分比例不易调控并且膜层中...
- 吴先映廖斌黄杰史学伟张旭彭建华
- 文献传递
- MEVVA离子束技术的发展及应用被引量：5
- 2014年
- 金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.
- 吴先映廖斌张旭李强彭建华张荟星张孝吉
- 关键词：材料表面改性
- 一台多功能发射度测量仪
- 1983年
- 测量束流发射度的方法很多,我们主要参照单缝移动、探针扫描、在函数仪上画相图和电偏转在示波器上连续显示相图的方法,设计了一台机械移动和电偏转相结合的发射度测量仪.
- 王维国周凤生陈如意马明修彭建华白桂彬
- 关键词：束流发射度量仪单缝偏转板推挽功率放大器
- 金属蒸汽真空弧离子源用压夹持式阴极结构
- 一种用于金属蒸汽真空弧离子源的压夹持式的阴极结构。要点是采用压夹持式结构，固定阴极材料。在底环上分别有内压环和外压环，内压环和外压环配合面为角度相同的锥面。内压由铝制造，环上有适当距离的收缩缝。阴极材料通过内压环中心孔。...
- 吴先映张旭彭建华张荟星梁宏马芙蓉
- 文献传递
- 大面积大批量均匀注入金属蒸汽真空弧离子注入机
- 一种利用金属离子注入进行材料表面改性处理的大面积大批量均匀注入金属蒸汽真空弧离子注入机。其特征在于至少一台强束流大束斑金属蒸汽真空弧离子源倾斜安装在真空大靶室的顶侧部，靶室内设计有多个水平布置、可灵活运动的靶盘。靶室内一...
- 吴先映李强刘安东张荟星张孝吉彭建华
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- 金属等离子体软X光源的研制被引量：2
- 1997年
- 一台金属等离子体软Ｘ光源在北京师范大学低能核物理所建成．为该光源配套研制了一台高频、高压恒流充电电源．该光源工作波长为０．８～２ｎｍ，单脉冲能量大于１０Ｊ．
- 张胜基施修龄潘世友彭建华阚希文
- 真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机
- 一种真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机。该设备利用金属蒸汽真空弧离子源提供的载能离子束实现工件的清洗和通过离子注入工件表面改性提高基体与膜层或过渡层结合力；并采用视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积技术，得到高光...
- 吴先映李强彭建华刘安东张荟星张孝吉张胜基
- 文献传递
- 视线外磁过滤金属蒸汽真空弧等离子体沉积多层膜镀膜机
- 一种视线外磁过滤金属蒸汽真空弧等离子体沉积多层膜镀膜机，它利用视线外磁过滤等离子体沉积源进行材料表面镀膜，实现多层膜镀膜。其特征在于：至少两台视线外磁过滤金属蒸汽真空弧等离子体沉积源以一定的夹角安装在一台真空镀膜室同一平...
- 吴先映李强张荟星张孝吉彭建华刘安东
- 文献传递
- 100型MEVVA源注入机注入均匀性研究
- 2007年
- 提高金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源注入机的注入效率,大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此开展了100型MEVVA源注入机大批量的工件注入均匀性的研究。本文介绍了100型MEVVA源注入机的靶室结构和靶盘分布,研究了0°定位自转、靶盘公转自转、45°定位自转的注入离子浓度分布。这三种方式的注入离子浓度分布都不能满足大批量均匀注入的需要。但45°定位自转的注入离子浓度分布的趋势与另两种相反,这意味着将45°定位自转与0°定位自转或靶盘公转自转相结合进行复合注入,可以得到均匀的注入效果。通过对几种注入方式的拟合计算来确定复合注入的注入比例。最后通过实验研究了靶盘不同运动状态的复合注入,得到了相当均匀的注入效果。
- 李强吴先映张荟星刘安东彭建华王桂岳
- 关键词：离子注入
