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朱青
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39
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
化学工程
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合作作者
马晓华
西安电子科技大学
张濛
西安电子科技大学
郝跃
西安电子科技大学
杨凌
西安电子科技大学
侯斌
西安电子科技大学
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西安电子科技...
作者
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朱青
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马晓华
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基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法,该器件包括:衬底层;缓冲层,位于衬底层上;沟道层,位于缓冲层上;源极,位于沟道层的一端;漏极,位于沟道层的另一端;插入层,位于沟道层上,且位于源极和漏极之...
张濛
郭思音
马晓华
陈怡霖
宓珉瀚
朱青
一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法
本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法,采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结,阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构,相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处...
武玫
杨凌
贾富春
王雨晨
侯斌
张濛
朱青
马晓华
郝跃
基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层,还包括:源电极、漏电极以及栅电极;其中,在水平方向上,所述...
马晓华
程可
武玫
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
文献传递
基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、中间层和介质层;中间层包括势垒层以及缓冲层;源、漏、栅电极分别穿过介质层与势垒层接触;中间层沿栅宽方向刻蚀有...
马晓华
武玫
程可
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
文献传递
基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法
本发明公开了一种基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法,主要解决现有技术不能精确控制阈值电压的问题。其制作过程包括:在衬底基片上,自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层...
马晓华
侯斌
季子路
朱青
祝杰杰
杨凌
郝跃
文献传递
一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法
本发明涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法,包括:选取半导体层;在半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层;在第一光刻胶层和栅脚区上制备金属层;在金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层,栅帽区通过光刻曝光显...
张鹏
李苗
朱青
马晓华
刘加志
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层;中间层包括势垒层和缓冲层;源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触;中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽,插指型凹槽...
武玫
马晓华
程可
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
文献传递
一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法,该方法包括:在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层;刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离;在氮化物势垒层形成的源电...
杨凌
马晓华
芦浩
邓龙格
侯斌
朱青
武玫
张濛
郝跃
文献传递
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层;中间层包括势垒层和缓冲层;源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触;中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽,插指型凹槽...
武玫
马晓华
程可
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法,该方法包括:在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层;刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离;在氮化物势垒层形成的源电...
杨凌
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芦浩
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