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朱琴

作品数:10 被引量:6H指数:2
供职机构:昆明物理研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇探测器
  • 5篇焦平面
  • 3篇探测器材料
  • 3篇锑化铟
  • 3篇焦平面探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子材料
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇红外探测器材...
  • 2篇底电极
  • 2篇电路
  • 2篇读出电路
  • 2篇载流子
  • 2篇探测器芯片
  • 2篇平面型
  • 2篇暗电流
  • 2篇INASSB

机构

  • 10篇昆明物理研究...
  • 1篇昆明市中小企...

作者

  • 10篇朱琴
  • 5篇李德香
  • 4篇杨文运
  • 4篇黄晖
  • 4篇邓功荣
  • 3篇袁俊
  • 3篇赵鹏
  • 3篇龚晓霞
  • 2篇太云见
  • 1篇信思树
  • 1篇史衍丽
  • 1篇何雯瑾
  • 1篇姚立斌
  • 1篇普朝光
  • 1篇冯江敏
  • 1篇余瑞云
  • 1篇陈楠
  • 1篇杨振

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外技术

年份

  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种锑化铟焦平面器件表面的钝化结构
本实用新型涉及一种锑化铟焦平面器件表面的钝化结构,属于红外探测器技术领域。所述钝化结构是由氧化铝薄膜、氧化硅薄膜和氮化硅薄膜按顺序组成的复合层状结构,其中氧化铝薄膜直接覆盖在P型掺杂锑化铟晶片表面。所述钝化结构中引入的氧...
肖婷婷宋欣波朱琴封晓杰尚发兰邓功荣范明国
一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法
本发明涉及一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法,属于InGaAs探测器技术领域。在InP衬底上按顺序依次生长InP缓冲层、InGaAs腐蚀停层、N型InP接触层、InGaAs吸收层、N型InP帽层以及InGaAs接触...
龚晓霞宋欣波朱琴方莉媛陆江伟赵荣陈冬琼杨玲杨文运黄晖
一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法
本发明提供了一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法,该方法在InGaAs器件的表面覆盖一层硫原子层,在该硫原子层上覆盖一层氮化硅或氧化硅介质膜。该原子层通过阳极硫化方法形成。本发明在电化学反应过程中,硫原子与器...
史衍丽朱琴李德香杨振
文献传递
一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法
本发明涉及一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法,属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底;势垒层材料为掺杂5×10<Sup>15</S...
陈冬琼邓功荣杨文运朱琴信思树戴欣冉赵宇鹏余瑞云尚发兰太云见赵鹏黄晖
文献传递
一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备
本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备,属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极;钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面...
宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片
本实用新型涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片,属于红外探测器技术领域。所述探测器芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极;钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表...
宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
文献传递
一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法
本发明涉及一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法,属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底;采用分子术外延法制...
赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构
本发明涉及一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构,属于光电子材料与器件技术领域。所述材料结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底;采用分子术外延法制备得到。所...
赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
基于InPb合金的非制冷焦平面探测器窗口低温焊接工艺研究被引量:3
2017年
研究了采用纯度为99.9%的In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术,分析了焊接时候的影响因素:焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度,通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层,在215℃、5×10^(-7) torr的真空环境下进行了焊接,焊接后的样品采用X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率,结果表明:焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好,能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求。
袁俊龚瑜冯江敏杨璇太云见何雯瑾朱琴普朝光黎秉哲
640×512数字化InGaAs探测器组件被引量:3
2020年
数字化InGaAs探测器是短波红外探测器技术发展的一个重要方向,它不仅可以提升系统的集成度,还可以提升成像系统的各项技术指标。通过将模拟-数字转换器(ADC)集成到读出电路中实现数字化读出电路是数字化InGaAs探测器的技术核心。文中介绍了640×512数字化读出电路的设计与实现,并与InGaAs探测器通过铟柱进行倒装互联形成了数字化InGaAs探测器组件。通过对探测器组件的测试得到读出噪声为230μV,峰值量子效率为65%,在300 K温度下探测率为1.2×10^12 cmHz1/2/W,在60 Hz帧频下功耗为94 mW。测试结果表明,数字化InGaAs探测器组件具有低读出噪声,高线性度,高传输带宽,高抗干扰性等特点。
钟昇佑陈楠范明国张济清朱琴姚立斌
关键词:INGAAS探测器
共1页<1>
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