李强
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术核科学技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 强流金属离子源
- 很多离子源都能产生金属离子束,但能够产生强流金属离子束的离子源并不多,特别要产生难熔金属离子束更是极其困难.为了发展材料表面改性技术和其它应用的需要,近年来已经研制成几种强流金属离子源,例如微波离子源,强流脉冲真空弧离子...
- 张荟星张胜基李强周风生张孝吉韩主恩
- 文献传递
- Mevva源离子注入机大批量注入均匀性研究
- Mevva离子源具有束流强、离子种类多、引出电压高以及多孔大面积引出的特点,Mevva强流金属离子注入被誉为新一代的离子注入技术.本文简介了Mevva ⅡA-H源离子注入机研究了几种不同情况下的注入均匀性.
- 吴先映张孝吉张荟星张胜基李强
- 关键词：离子注入离子注入机
- 文献传递
- 高结合强度类金刚石膜的制备与性能研究
- 磁过滤阴极弧沉积技术可以在室温下制备高质量类金刚石薄膜,薄膜的sp~3键含量高达85%,具有优异的性能如极高的硬度,低的摩擦系数和高的化学稳定性,因而是耐磨表面保护薄膜的理想选择,在光学、机械、航空航天和军工等领域有着广...
- 张旭吴先映吴正龙徐元直李强覃礼钊张荟星
- 关键词：类金刚石膜
- 文献传递
- 采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类金刚石薄膜的研究
- 2007年
- 采用磁过滤阴极弧沉积技术以金属Ti为阴极在真空室中加入C2H2气体来制备含Ti类金刚石薄膜,研究不同的过滤弯管电流和在有过滤磁场存在条件下不同的C2H2气压对含Ti类金刚石薄膜的成分和组织结构的影响规律。实验结果表明:薄膜是由TiC和类金刚石两种结构组成的复合薄膜。C2H2气压和过滤弯管电流都对含Ti类金刚石薄膜的成分和组织结构有显著的影响。增加C2H2气压和过滤弯管电流都使薄膜中Ti元素的原子百分含量逐渐下降,C元素的原子百分含量逐渐增加,TiC峰强度逐渐降低,半高宽逐渐增加。
- 张旭王耀辉吴先映李强张荟星张孝吉
- 关键词：类金刚石膜
- 采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类金刚石薄膜的研究
- 采用磁过滤阴极弧沉积技术以金属Ti为阴极在真空室中加入C2H2气体来制备含 Ti类金刚石薄膜,研究不同的过滤弯管磁场和在有过滤磁场存在条件下不同的 C2H2气压对含Ti类金刚石薄膜的成分和组织结构的影响规律。实验结果表明...
- 张旭王耀辉吴先映李强张荟星张孝吉
- 关键词：类金刚石膜
- 文献传递
- 100型MEVVA源离子注入机
- 提高金属蒸汽真空弧（Metal vapor vacuum arc，MEVVA）离子源注入机的注入效率，大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此设计研制了采用高占空比、大引出面积、凸形高透过率引出电极...
- 吴先映李强张荟星刘安东彭建华
- 关键词：离子注入机
- 文献传递
- 磁过滤阴极真空弧沉积法制备TiAlN薄膜的研究被引量：3
- 2007年
- 采用磁过滤阴极真空弧沉积技术在不同的真空室压强(N2流量)状态下制备TiAlN薄膜,讨论了N2流量对TiAlN薄膜各项性能的影响。并对薄膜的成分、结构和性能进行了测试。测试结果表明:获得薄膜较好,真空室压强对薄膜的厚度、摩擦系数和纳米硬度都有着重要的影响。
- 丁剑飞吴先映李强周奎王桂岳冷崇燕
- 关键词：TIALN薄膜
- 磁过滤等离子体沉积和注入技术
- 本文介绍了阴极真空弧放电技术的应用及磁放滤等离子体沉积和注入装置以及它的应用.
- 张荟星李强
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 100型MEVVA源离子注入机
- 提高金属蒸汽真空弧(Metal vapor VaCUUm arc,MEVVA)离子源注入机的注入效率,大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此设计研制了采用高占空比、大引出面积、凸形高透过率引出电极...
- 吴先映李强张荟星刘安东彭建华
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 100型MEVVA源离子注入机
- 提高金属蒸汽真空弧(Metal vapor vacuum arc，MEVVA)离子源注入机的注入效率，大幅度降低注入成本是MEVVA 源离子注入技术实用化的关键。为此设计研制了采用高占空比、大引出面积、凸形高透过率引出电...
- 吴先映李强张荟星刘安东彭建华
- 关键词：离子注入
- 文献传递
