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石莎莉

作品数：88 被引量：30H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
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李勇滔
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
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陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
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饶志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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