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马雪丽

作品数:68 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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地区

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14 条 记 录,以下是 1-10
王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩锴
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 界面层 金属栅 阈值电压 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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