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任芳

作品数：12 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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地区

  • 32个重庆市
  • 1个四川省
共 33 条 记 录，以下是 1-10
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：VDMOS 半导体工艺 牺牲层 高强度气体放电灯 电子镇流器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：GE组分分布 SIGE_HBT 半导体工艺 CMOS HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张杨波
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SOI材料 隔离区 互补双极工艺 牺牲层 全介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：PMOSFET SI 应变SI SIGE 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘嵘侃
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SIGE_HBT 半导体器件 烘培 自对准 封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚玲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 IC芯片 氧化物 可靠性 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟华群
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：相控阵雷达 铁氧体 抗辐射加固 D/A转换器 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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