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赵寄

作品数:2 被引量:4H指数:2
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

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7 条 记 录,以下是 1-7
李艳萍
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题:MOSFET 高K栅介质 阈值电压 短沟道效应 阈值电压模型
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陈卫兵
供职机构:湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题:高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹建平
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:PMOS 反型层 蒙特卡罗 迁移率 应变硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静平
供职机构:华中科技大学
研究主题:高K栅介质 MOS电容 MOSFET 栅介质 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭耀华
供职机构:清华大学
研究主题:应变硅 PMOS 反型层 蒙特卡罗 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹晓
供职机构:华中科技大学
研究主题:界面层 栅介质 MOS电容 MOS 高K栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余志平
供职机构:清华大学
研究主题:石墨烯 英文 电路 集成电路设计 螺旋电感
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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