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韩春林

作品数:12 被引量:9H指数:2
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领域

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主题

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  • 15个迁移率
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机构

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资助

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传媒

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地区

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22 条 记 录,以下是 1-10
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
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薛舫时
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:HFET GAN 电流崩塌 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张政
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:波段 INP基 GAN高电子迁移率晶体管 NM 放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP INALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC_MESFET 碳化硅 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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