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徐安怀

作品数:51 被引量:33H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域:电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

领域

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传媒

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地区

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  • 8个北京市
  • 6个河北省
  • 3个江苏省
  • 1个山东省
51 条 记 录,以下是 1-10
齐鸣
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:氮化镓 氢化物气相外延 磷化铟 阳极氧化铝 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
艾立鹍
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:磷化铟 气态源分子束外延 INP DHBT 双异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙浩
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:INP基 磷化铟 DHBT INP 超材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱福英
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:溅射 气态源分子束外延 DHBT 离子溅射 GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙晓玮
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:毫米波 低噪声放大器 KA波段 谐波抑制 本振信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏树兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:磷化铟 INP INP/INGAAS DHBT MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于进勇
供职机构:中国人民解放军海军航空工程学院
研究主题:无人机 滑模控制 反舰导弹 反演 导弹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林玲
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:INGAP/GAAS 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS_HBT HBT器件 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:自对准 异质结双极晶体管 GAAS 异质结双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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