2025年1月10日
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徐安怀
作品数:
51
被引量:33
H指数:3
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
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合作作者
齐鸣
中国科学院微电子研究所
艾立鹍
中国科学院上海微系统与信息技术...
孙浩
中国科学院上海微系统与信息技术...
朱福英
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘新宇
中国科学院微电子研究所
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齐鸣
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 厚膜
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供职机构
所获资助
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艾立鹍
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:磷化铟 气态源分子束外延 INP DHBT 双异质结双极晶体管
发表作品
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孙浩
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:INP基 磷化铟 DHBT INP 超材料
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供职机构
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研究领域
朱福英
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:溅射 气态源分子束外延 DHBT 离子溅射 GSMBE生长
发表作品
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研究领域
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
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研究领域
孙晓玮
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:毫米波 低噪声放大器 谐波抑制 本振信号 毫米波图像
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供职机构
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研究领域
苏树兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:DHBT INP INP/INGAAS HBT MBE
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于进勇
供职机构:中国人民解放军海军航空工程学院
研究主题:HBT 无人机 滑模控制 反舰导弹 反演
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林玲
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:INGAP/GAAS 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS_HBT HBT器件 微波
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研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
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