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饶志鹏

作品数：39 被引量：24H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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资助

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地区

  • 24个北京市
  • 2个黑龙江省
共 26 条 记 录，以下是 1-10
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
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万军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
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陈波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
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石莎莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
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刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
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李勇滔
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
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黄成强
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 含碳 前驱体 含氮 金属表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS 等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李楠
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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