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蔡树军

作品数:121 被引量:111H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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领域

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主题

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  • 74个高电子迁移率...
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  • 64个氮化镓
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  • 59个单片集成
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机构

  • 99个中国电子科技...
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  • 2个河北普兴电子...
  • 1个宝鸡文理学院
  • 1个北京大学
  • 1个东南大学

资助

  • 74个国家自然科学...
  • 42个国家重点基础...
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  • 22个国防科技重点...
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  • 10个国家高技术研...
  • 8个国防科技技术...
  • 8个陕西省自然科...
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传媒

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  • 9个2010年全...
  • 9个第十三届全国...

地区

  • 124个河北省
  • 6个北京市
  • 4个天津市
  • 3个四川省
  • 1个黑龙江省
  • 1个陕西省
  • 1个浙江省
145 条 记 录,以下是 1-10
冯志红
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 衬底 电极
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李亮
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:滤波器 谐振器 滤波器技术 薄膜体声波谐振器 腔体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默江辉
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SIC_MESFET 微波器件 夹具 大功率 内匹配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨克武
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:HFET 微波器件 内匹配 X波段 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔玉兴
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:谐振器 半导体 衬底 腔体 微波器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付兴昌
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:场效应晶体管 氧化镓 衬底 谐振器 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SI衬底 ALGAN GAN ALN 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯震
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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