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边伟

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供职机构：北京大学更多>>
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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
何进
供职机构：北京大学深圳研究生院
研究主题：场效应晶体管 纳米线 击穿电压 英文 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
甘学温
供职机构：北京大学微电子学研究院
研究主题：集成电路 SOI VLSI 存储器 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国炳
供职机构：北京大学
研究主题：硅化物 多晶硅 离子注入 微机电系统 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晟
供职机构：北京大学
研究主题：反应离子刻蚀 功率 氢含量 压强 PECVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田大宇
供职机构：北京大学
研究主题：刻蚀 探测器 硅 离子注入 成品率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志宏
供职机构：北京大学
研究主题：电极 微针 针尖 微机电系统 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构：北京大学
研究主题：微机电系统 测地线 MEMS TEICHMULLER空间 可积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄媛媛
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系
研究主题：CORDIC算法 CMOS电路设计 函数发生器 集成电路 芯片设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李素兰
供职机构：北京大学
研究主题：残余应力 SIC薄膜 压强 反应离子刻蚀 功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王煜
供职机构：北京大学
研究主题：应力控制 MEMS SIC 抗腐蚀 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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