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罗家俊

作品数：495 被引量：109H指数：6
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
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曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 输入端 存储器 单粒子 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电路 绝缘体上硅 SOI 沟道 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 隔离区 接触区 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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