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王文武

作品数：405 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马雪丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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