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曾传滨

作品数：169 被引量：28H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 漏电 源区 隔离区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫薇薇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 硅化物 绝缘体上硅 静电防护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡小五
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 晶体管 栅氧化层 SOI 功率器件
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卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 集成电路 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 存储器 输入端 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵海涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 静电保护 钳位电路 栅氧化层 ESD保护结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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