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韩敬东

作品数:14 被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院更多>>
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相关领域:电子电信核科学技术理学机械工程更多>>

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35 条 记 录,以下是 1-10
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胥兴才
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 LPCVD 掩模 氮化硅 光刻技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 掩模 干法刻蚀 深亚微米 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董立军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:沟道 氮化硅薄膜 红外焦平面阵列 纳米孔 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲利
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体 常压 常压等离子体 自由基 等离子体发生器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张菊芳
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:LIGA技术 微细加工 LIGA 掩模 电火花加工
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵铃莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:LPCVD 氮化硅膜 氮化硅薄膜 氮化硅 复合膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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