您的位置： 专家智库 > >

董少华

作品数：10 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>

合作作者

领域

  • 6个电子电信
  • 2个化学工程
  • 2个自动化与计算...
  • 2个理学
  • 1个机械工程
  • 1个电气工程
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 6个电路
  • 5个电容
  • 5个电压
  • 4个单晶
  • 4个单晶硅
  • 4个导通
  • 4个电场
  • 4个电荷
  • 4个电流
  • 4个电容测试
  • 3个导电类型
  • 3个导热
  • 3个导热硅脂
  • 3个导通电阻
  • 3个导通压降
  • 3个低阻
  • 3个电场分布
  • 3个电场强度
  • 3个电极
  • 3个电流分布

机构

  • 6个中国科学院微...
  • 2个中国科学院大...
  • 2个江苏物联网研...
  • 1个北京工业大学
  • 1个山东大学

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 3个国家科技重大...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个国家留学基金
  • 1个北京市教委科...
  • 1个北京市属高等...
  • 1个四川省科技计...

传媒

  • 5个半导体技术
  • 4个物理学报
  • 4个2013‘全...
  • 3个微电子学
  • 3个第十五届全国...
  • 2个传感器世界
  • 2个Journa...
  • 2个电力电子技术
  • 2个电源学报
  • 1个北京工业大学...
  • 1个核技术
  • 1个微电子学与计...
  • 1个原子能科学技...
  • 1个核电子学与探...
  • 1个电子器件
  • 1个功能材料与器...
  • 1个固体电子学研...
  • 1个现代电子技术
  • 1个微纳电子技术
  • 1个大功率变流技...

地区

  • 6个北京市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王任卿
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SIGE_HBT 发射极 SIGE异质结双极晶体管 热稳定性 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 集成电路 栅氧化层 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡爱斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：淀积 衬底 锗 固定电荷 半导体功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0