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倪涛

作品数：76 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 隔离区 接触区 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫薇薇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 埋氧层 硅化物 隔离区 可控硅器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王春林
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率VDMOS器件 单粒子效应 测试电路 辐照 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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