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赵以贵

作品数：10 被引量：6H指数：1
供职机构：华东电子工程研究所更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛洁斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束曝光 衬底 电子束直写 衍射光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱效立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束直写 衍射效率 衍射光学元件 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晶晶
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线 换能器 聚酰亚胺 自支撑
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李维龙
供职机构：华东电子工程研究所
研究主题：微电子工艺 浮栅 纳米晶 单电子器件 蒸发
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李东梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：压电基片 电子束直写 电子束光刻 气体检测器 气体检测
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晶晶
供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室
研究主题：叉指换能器 X射线光刻 电子束光刻 声表面波器件 声表面波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张森
供职机构：华东电子工程研究所
研究主题：甲基膦酸二甲酯 气体传感器 声表面波气体传感器 声表面波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈军宁
供职机构：安徽大学
研究主题：反相器 灵敏放大器 电路 裕度 SRAM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柯导明
供职机构：安徽大学
研究主题：MOSFET 高温 阈值电压 LDMOS CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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