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8 条 记 录,以下是 1-8
钱峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐世军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 功率放大器 功率管 内匹配 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 铝镓氮 步进
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾东铭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 加速寿命试验 MMIC 微波单片集成电路 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微波单片集成电路 MMIC GAN 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洋
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率管 砷化镓 MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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