陈忠民
- 作品数：16 被引量：15H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部“211”工程更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术被引量：1
- 2005年
- 为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。
- 陈忠民刘泽文刘理天
- 关键词：多孔硅射频器件损耗
- 射频MEMS器件研究进展
- 本文对射频MEMS器件研究的最新进展进行了论述。文章分别讨论了几种主要MEMS器件的包括开关、电感、电容、滤波器和谐振器、天线的特点及主要性能指标，并给出了由清华大学研制的几种重要的RFMEMS器件包括开关、电感、压控电...
- 刘泽文陈忠民韦嘉宣云刘理天李志坚
- 关键词：电子元件微电子技术射频器件
- 文献传递
- 一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感
- 2004年
- 提出了一种基于氧化多孔硅厚膜隔离技术的Cu电感。厚膜隔离层降低了电感的衬底损耗,提高了电感的Q值。实验中通过多孔硅氧化和电镀Cu制备了电感样品。微波测试显示,电感在2.8GHz的频率下Q值达到了4.5,电感值约为5nH,电感的自谐振频率为9GHz。
- 陈忠民刘泽文刘理天
- 关键词：电感氧化多孔硅射频
- 用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备
- 对N型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的平...
- 陈忠民刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：多孔硅氧化多孔硅射频
- 文献传递
- 低损耗衬底上实现无源低通滤波器(英文)
- 2006年
- 分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.
- 方杰刘泽文赵嘉昊陈忠民韦嘉刘理天李志坚
- 关键词：片上电感
- 用于射频领域的MEMS无源LC滤波器设计研究
- 本文介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作.该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:一3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB.基于MEM...
- 方杰刘泽文陈忠民刘理天李志坚
- 关键词：无源滤波器射频MEMS
- 文献传递
- 用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备
- 在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义.采用多孔硅厚膜作为隔离层,能够极大地降低衬底高频损耗.本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究.通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电...
- 陈忠民刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：多孔硅射频电路电路性能高频损耗
- 文献传递
- 用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备被引量：3
- 2003年
- 在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义。采用多孔硅厚膜作为隔离层 ,能够极大地降低衬底高频损耗。本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究。通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性。有效地减少了多孔硅的龟裂失效 ,得到的多孔硅最大膜厚为 72 μm。
- 陈忠民刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：射频电路隔离层高频损耗
- 氧化多孔硅上制作Cu电感的研究被引量：1
- 2004年
- 给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀。获得了1nH的电感,其Q值在10GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20GHz。
- 陈忠民刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：氧化多孔硅电镀电感射频
- 用于射频领域的MEMS无源LC滤波器设计研究
- 介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作。该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:-3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB。基于MEMS无...
- 方杰刘泽文陈忠民刘理天李志坚
- 关键词：射频MEMS无源滤波器
- 文献传递
