黎沛涛
- 作品数：18 被引量：28H指数：3
- 供职机构：香港大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO_2界面应力的研究被引量：1
- 2000年
- 本文借助氩离子 (Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n MOSFETsSi/SiO2 界面附近剩余机械应力 .结果表明 :NH3氮化及N2 O生长的氧化物 硅界面附近均存在较大的剩余应力 ,前者来自过多的界面氮结合 ,后者来自因为初始加速生长阶段 .N2 O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力 。
- 徐静平黎沛涛李斌
- 关键词：MOSFET氮化应力
- MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟被引量：4
- 2004年
- 分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2～ 2 .3nm。
- 徐静平韩弼黎沛涛钟德刚吴海平
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器SBD
- HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
- 2007年
- 采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
- 朱秋玲徐静平邹晓黎沛涛李春霞
- 关键词：HFO2介电常数界面态密度
- MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析被引量：2
- 2002年
- 分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .
- 钟德刚徐静平黎沛涛于军
- 关键词：响应特性I-V特性
- 杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
- 2005年
- 文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
- 李春霞徐静平吴海平黎沛涛
- 关键词：MOS场效应晶体管迁移率
- 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响
- 2008年
- 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质。研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性。
- 邹晓徐静平黎沛涛李春霞
- 关键词：表面钝化界面层
- 薄膜SOI扩展电阻温度传感器
- 2003年
- 重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T).利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si膜厚度效应,模拟结果表明,在相同的衬底掺杂浓度下,Si膜厚度越薄,器件的Tmax越高.实验结果也验证了这一点,薄膜SOISRT传感器不仅具有非常好的器件特性,Tmax高至450℃以上,而且它的工作偏置电流低至1μA,比体Si SRT传感器小103倍.因此,薄膜SOISRT传感器具有很广阔的低功耗应用前景.
- 李斌刘百勇郑学仁黎沛涛
- 关键词：扩展电阻温度传感器阻温特性薄膜SOISRT
- PCR芯片控温系统研究被引量：10
- 2001年
- 通过采用以单片机为核心的数字电路控温技术、PWM技术以及PID控温算法 ,研制出成本低、控温精度高。
- 徐静平黎沛涛甘侠林钟德刚
- 关键词：单片机温度控制系统PWM技术
- 掺杂CuPc的MEH-PPV/PCBM有机太阳电池研究
- 2011年
- 采用旋涂法制备了掺杂铜酞菁(CuPc)的聚(2-甲氧基,5-(2-乙基-乙氧基)-对苯乙炔)(MEH-PPV)/富勒烯衍生物(PCBM)有机太阳电池.测试结果表明:掺杂15%CuPc的MEH-PPV/PCBM太阳电池效率(1.41%)比标准的MEH-PPV/PCBM太阳电池(1.26%)提高12%.器件的吸收谱和迁移率测试表明CuPc导致的吸收谱增强和迁移率提高是器件效率提高的主要原因.
- 陈卫兵杨伟丰邹豪杰汤建新邓林峰黎沛涛
- 关键词：有机太阳电池
- 一种集成超声传感器新结构
- 1998年
- 设计了一种具有片上读出电路的集成超声传感器新结构，并用PI膜来垫高扩展栅电极。和典型POSFET结构相比，所制作样品的灵敏度提高14dB以上，带宽可达7MHz，满足超声传感器需要。
- 郑学仁刘百勇李斌黎沛涛
- 关键词：集成电路超声传感器聚酰亚胺
