李春霞
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：香港大学更多>>
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- 一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路被引量：3
- 2005年
- 给出了一种新型的互补型电荷泵电路.采用正反馈技术,电路由CSMC1.2μmCMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下.Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0.08mW,输出信号的电压范围宽(0～2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象.该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路.
- 彭颖应建华颜学超李春霞
- 关键词：电荷泵锁相环CMOS
- HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
- 2007年
- 采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
- 朱秋玲徐静平邹晓黎沛涛李春霞
- 关键词：HFO2介电常数界面态密度
- 杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
- 2005年
- 文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
- 李春霞徐静平吴海平黎沛涛
- 关键词：MOS场效应晶体管迁移率
- 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响
- 2008年
- 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质。研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性。
- 邹晓徐静平黎沛涛李春霞
- 关键词：表面钝化界面层
- 4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析被引量：10
- 2005年
- 通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.
- 徐静平李春霞吴海平
- 关键词：4H-SIC迁移率阈值电压
- 新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
- 韩弼徐静平李艳萍陈卫兵邹晓李春霞
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器
- O_2+CHCCl_3氧化对6H-SiC MOS电容界面特性的改善被引量：2
- 2004年
- 采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiCMOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验。结果表明,O2+TCE氧化不仅提高了氧化速率,而且降低了界面态密度和氧化层有效电荷密度,提高了器件可靠性。可以预测,O2+TCE氧化与湿NO退火相结合的工艺是一种有前途的制备高沟道迁移率、高可靠性SiCMOS-FET的栅介质工艺。
- 吴海平徐静平李春霞梅慧兰
- 关键词：SICMOS电容界面态密度可靠性三氯乙烯
- HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。
- 季峰徐静平张洪强黎沛涛李春霞官建国
- 关键词：高K栅介质氮化
- TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响
- 2007年
- 研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。
- 李春霞徐静平王虎
- 关键词：三氯乙烯金属氧化物半导体
- 湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究被引量：3
- 2007年
- 采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。
- 邹晓徐静平朱秋玲黎沛涛李春霞
- 关键词：界面层
